Poco a poco vamos conociendo detalles del próximo Samsung Galaxy S9 por más que la marca no lo confirme de manera directa. Y ya tenemos una jugosa novedad: dispondrá de un modelo con 512 GB.
La evolución de los smartphones ha sido notoria por más que aún queden unos cuantos flecos por cubrir, ayer ya lo comentábamos en este artículo con algunos de los problemas que aún mantienen. Aunque el almacenamiento es algo de sobra cubierto: los smartphones de hoy en día poseen espacio suficiente como para llevar una buena biblioteca de vídeo. Sin usar la SD Card, que Samsung estrenará los 512 GB de almacenamiento.
Los Samsung Galaxy S9 y S9+ se verán antes de lo esperado y hay sorpresaParece que tendremos que esperar poco para saber más de los Samsung Galaxy S9 y Samsung Galaxy S9+, que harán acto de presencia en el CES de Las Vegas.
Hasta ahora solíamos tener 3 niveles de espacio para el usuario, al menos en la gama más alta: los 64, 128 y 256 GB. Pues bien: el nuevo límite se sitúa ahora en los 512 GB: Samsung le ha dado al botón de inicio de su nueva cadena de montaje dedicada al almacenamiento flash de dicha cantidad. Esta irá destinada a la próxima generación de smartphones, un detalle que ya avanza su primer dueño: el Samsung Galaxy S9.
Nuevos módulos V-NAND de 512 GB eUFS con hasta 860 MB/s de lectura
Samsung es líder en la fabricación de componentes. Desde memorias RAM a procesadores; pasando por los módulos V-NAND destinados al almacenamiento en dispositivos móviles. Y hoy marca un nuevo hito: duplica el máximo espacio de sus módulos e inicia su fabricación en masa. Así que los veremos montados en la próxima generación.
El anuncio del inicio de la producción llega a escasos meses de que se presente el Samsung Galaxy S9 de manera oficial. Esto se une al anterior anuncio que hizo la compañía avanzando los próximos componentes de su smartphone estrella: la segunda generación de Exynos con proceso de fabricación en 10 nm también está en marcha.
Samsung comienza a fabricar el procesador del Galaxy S9Samsung anuncia la segunda generación de su proceso de fabricación en 10 nm con un SoC que entra en la línea de producción en masa. Arranca el Galaxy S9.
El citado módulo V-NAND de 512 GB no solo es rápido, algo obligatorio dada la gama a la que va dirigido, también es de bajo consumo. Está fabricado con un proceso por capas de 64 GB que, con un total de 8, consiguen un rendimiento en lectura y escritura notable: 860 y 255 MB/s, respectivamente. Además, alcanza las 42 000 operaciones por segundo en lectura aleatoria; llegando a las 40 000 en escritura, también aleatoria.
El Samsung Galaxy S9 apunta a ser aún más “premium”
Las gamas en los smartphones se están redefiniendo con un techo que se encuentra cada vez más alto. La barrera de los 1000 euros está ya más que superada, algo que se afianzará con las versiones de 512 GB de almacenamiento. No es seguro ya que tampoco hay confirmación de Samsung, al menos de momento, pero no sería extraño que el modelo de Galaxy S9 con 512 GB batiera todos los récords de precio. Nos quedan pocos meses para verlo.
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